[发明专利]输入等待时间控制电路、半导体存储设备及其方法无效
| 申请号： | 200710128898.0 | 申请日： | 2007-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN101097777A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 金敬镐;张星珍;金正烈;金成勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/409 | 分类号： | G11C11/409 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 输入等待时间控制电路、半导体存储设备及方法。半导体存储设备包括：时钟缓冲器，基于外部时钟信号产生内部时钟信号；命令解码器，解码外部命令信号以产生写命令信号；输入等待时间控制电路，基于内部时钟信号、写命令信号和写等待时间信号以流水线模式选通地址信号，产生列地址信号和存储体地址信号。输入等待时间控制电路包括主电路，基于内部时钟信号、写命令信号和写等待时间信号产生列控制信号和第一写地址控制信号；至少一个列从电路，根据列控制信号、及第一、二写地址控制信号中的一个，以流水线模式选通第一地址信号，产生列地址信号；及至少一个存储体从电路，根据列控制信号、第一、二写地址控制信号中的一个，以流水线模式选通第二地址信号，产生存储体地址信号。 | ||
| 搜索关键词： | 输入 等待时间 控制电路 半导体 存储 设备 及其 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体存储设备，包括：时钟缓冲器，构造为基于外部时钟信号产生内部时钟信号；命令解码器，构造用于解码外部命令信号，以产生写命令信号；以及输入等待时间控制电路，构造为基于内部时钟信号、写命令信号和写等待时间信号，以流水线模式选通地址信号，以产生列地址信号和存储体地址信号。
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