[发明专利]二乙基硅烷作为沉积金属硅酸盐膜的硅源无效
| 申请号： | 200710128801.6 | 申请日： | 2007-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101125659A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | R·D·克拉克;K·S·库特希尔;H·思里丹达姆;A·K·霍克伯格 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | C01B33/20 | 分类号： | C01B33/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温宏艳;赵苏林 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及二乙基硅烷作为沉积金属硅酸盐膜的硅源。一种形成作为电子器件中高k电介质的金属硅酸盐的方法，包括步骤：提供二乙基硅烷至反应区；同时提供氧源至该反应区；同时提供金属前驱体到该反应区；通过化学气相沉积使该二乙基硅烷、氧源和金属前驱体发生反应，以在包括该电子器件的衬底上形成金属硅酸盐。该金属优选为铪、锆或其混合物。该金属硅酸盐膜的介电常数可以基于膜中的金属、硅、和氧的相对原子浓度进行调节。 | ||
| 搜索关键词： | 乙基 硅烷 作为 沉积 金属 硅酸盐 | ||
【主权项】：
1.一种形成作为电子器件中高k电介质的金属硅酸盐的方法，包括步骤：提供二乙基硅烷至反应区；同时提供氧源至该反应区；同时提供金属前驱体到该反应区；通过化学气相沉积使二乙基硅烷、氧源和金属前驱体发生反应，以在包括该电子器件的衬底上形成金属硅酸盐。
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