[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 200710127460.0 | 申请日： | 2007-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN101101792A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 白川政信;常盤直哉 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体存储器装置，包括：可电擦写且其中设置有非易失性存储器单元的存储器单元阵列；行解码器，其配置为选择存储器单元阵列中的存储器单元，该行解码器包括标志锁存器，其中为存储器单元阵列中坏块设置坏块标志；感测放大器，其配置为感测存储器单元阵列中所选存储器单元的数据；和输出电路，其配置为输出感测放大器中的读出数据，所述输出电路包括输出数据固定电路，其配置为按照坏块标志将输出数据固定在逻辑电平。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器装置，包括：存储器单元阵列，可电擦写且非易失性存储器单元设置在其中；行解码器，其配置为选择存储器单元阵列中的存储器单元，行解码器包括标志锁存器，在标志锁存器中为所述存储器单元阵列中的坏块设置坏块标志；感测放大器，其配置为感测所述存储器单元阵列中所选的存储器单元的数据；以及输出电路，其配置为输出感测放大器中的读出数据，该输出电路包括输出数据固定电路，其配置为按照所述坏块标志将输出数据固定于一逻辑电平。
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