[发明专利]成膜装置和使用该装置的方法

摘要

本发明涉及一种成膜装置的使用方法，在所述成膜装置的反应室内，在被处理基板上形成选自氮化硅膜和氧氮化硅膜中的制品膜，在从所述反应室卸载所述被处理基板后，进行下一工序。首先，对附着在所述反应室的所述内面的副生成物膜进行氮化，此处，将所述反应室的所述内面加热至后处理温度，并将氮化用的后处理气体供给至所述反应室内。接着，通过将所述反应室的所述内面从上述后处理温度急冷，利用热应力使氮化后所述副生成物膜龟裂。通过对所述反应室内进行强制排起，排出由此从所述内面剥离的所述副生成物膜的部分。

主权项

1.一种成膜装置的使用方法，具备：在所述成膜装置的反应室内，在被处理基板上形成选自氮化硅膜和氧氮化硅膜中的制品膜的工序；从所述反应室卸载所述被处理基板的工序；然后，对附着在所述反应室的内面上的副生成物膜进行氮化的工序，此处，将所述反应室的所述内面加热至后处理温度，并且将氮化用的后处理气体供给至所述反应室内；通过将所述反应室的所述内面从所述后处理温度急冷，利用热应力使氮化后的所述副生成物膜龟裂，并从所述反应室的所述内面剥离的工序；和通过对所述反应室内进行强制排气，将由此从所述内面剥离的所述副生成物膜的部分载入气流中，从所述反应室内排出的工序。