[发明专利]发光二极管制造方法无效
| 申请号： | 200710123337.1 | 申请日： | 2007-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101090146A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 金英镐;金学锋 | 申请（专利权）人： | 廊坊清华科技园光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 065001河北省廊坊*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的制造方法。氮化镓系发光二极管的制作方法中，为提高器件的特性，使用了很多种方法，其中，采用最多的是生长层朝下的倒装方式，原因是这种芯片结构的散热性好。为了制作出倒装方式的芯片，使用从底面反射光线的反射层，以提高出光效率。目前使用这种反射层的方式很多，但是本发明提供的是提高银膜性能的方法，这种银膜在发光二极管的制造过程中作为反射体使用。特别是本发明提供的发光二极管制造方法中，加强银的粘附性，而且尽可能保持银本身所具备的电气性质和反射度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种由衬底、生长在衬底上的半导体薄膜、位于上述薄膜上的反射膜电极组成的发光器件，其特征在于：部分涂镀的第一金属；并镀于上述第一金属层上面，而大与第一金属层面积的金属层。
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