[发明专利]发光二极管制造方法

说明书

所属技术领域

本发明涉及一种尽可能保持银本身所具备的电气性质和反射度，同时加强银层与半导体层的粘附性的发光二极管制造方法。

背景技术

具有金属反射层的现有氮化镓系发光二极管，大多采用电气性质或反射度好的银薄膜，可是银的反射度虽好，由于其与现有半导体层的接触性欠佳，工艺中经常发生剥离现象，从而给量产带来困难。

另一种方法是，采用粘附性好的其他类型的金属形成反射膜，虽然其粘附性有所提高，却减低了其反射度。

解决上述问题的又一种方法是，在半导体层和银层之间形成镍、铬、钛等薄膜层，以此加强粘附性，但是这种金属薄膜层的反射度低，无法达到原来的目的。

发明内容

本发明就是要解决上述这些问题，提供一种提高银层和半导体层的粘附性，同时保持银固有的反射度的制造方法。

根据本发明制作的发光二极管，其作为反射膜使用的银膜和半导体层的粘附性得到提升，同时保持了银固有的反射特性，使反射度增加，从而得到高亮度发光二极管。另外，提高了制造芯片时划片及切片工序的效率，使发光二极管制造工艺的整体效率得以提升。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明。

图1为具有反射膜的现有发光二极管结构

图2为本发明的金属网状结构图

图3为本发明的芯片结构及整体晶片形状

具体实施方式

图1是整体镀其他金属层的现有发光二极管的简单结构图。如图所示，所镀金属层包括镍、铬、钛等。

本发明提供的方法是，如图2所示，将镍、铬、钛等金属以网状形态进行涂镀，使晶片与银金属进行接触，从而缓解反射度减低的问题，另一方面，以网状形态涂镀粘附性高的金属，从而提高银层和半导体层之间的粘附性。

图3同时展示了这种二极管的形状及晶片的整体形状。如果用这种方法镀银层，那么，待器件制造工艺结束，将晶片切割成芯片的划片工序和切片工序中，不再发生银膜的粘附性欠佳而产生的剥离现象(金属层脱落现象)，保证切割质量，很大程度上可以提升芯片生产效率。

另外，由于保持了银本身的反射度特性，可以得到出光效率好的高亮度发光二极管。