[发明专利]双层隧穿介质结构的纳米晶浮栅非易失存储器及制作方法无效
| 申请号： | 200710122479.6 | 申请日： | 2007-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101399289A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 胡媛;刘明;龙世兵;杨清华;管伟华;李志刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/51;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子技术领域，公开了一种双层隧穿介质结构的纳米晶浮栅非易失存储器，包括：硅衬底1、硅衬底1上重掺杂的源导电区7和漏导电区8、源漏导电区之间载流子沟道上覆盖的SiO2材料隧穿介质层2，SiO2材料隧穿介质层2上覆盖的高k材料隧穿介质层3、高k材料隧穿介质层3上覆盖的纳米晶浮栅层4、纳米晶浮栅层4上覆盖的SiO2或高k材料控制栅介质层5，以及控制栅介质层5上覆盖的栅材料层6。同时公开了一种双层隧穿介质结构的纳米晶浮栅非易失存储器的制作方法。本发明改善了浮栅结构非易失存储器的性能，提高了编程/擦除速度、耐受性和保持特性，降低了编程/擦除的电压和功耗，折衷了编程/擦除效率和数据保持的矛盾。 | ||
| 搜索关键词： | 双层 介质 结构 纳米 晶浮栅非易失 存储器 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种双层隧穿介质结构的纳米晶浮栅非易失存储器，其特征在于，该存储器包括：硅衬底(1)、硅衬底上重掺杂的源导电区(7)和漏导电区(8)、源漏导电区之间载流子沟道上覆盖的第一层隧穿介质(2)，第一层隧穿介质上覆盖的第二层隧穿介质(3)、第二层隧穿介质(3)上覆盖的纳米晶浮栅层(4)、纳米晶浮栅层(4)上覆盖的控制栅介质层(5)，以及控制栅介质层(5)上覆盖的栅材料层(6)。
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