[发明专利]基于增强型PHEMT的单刀单掷开关无效
| 申请号： | 200710121977.9 | 申请日： | 2007-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101394174A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 徐静波;张海英;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H01P1/15 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及微波电路技术领域，公开了一种基于增强型PHEMT的单刀单掷微波开关，该微波开关包括三个增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT、三个限流电阻R、两个隔直电容C和两个电压控制端。利用本发明，只需要0～0.2V和正电压(1V)作为关断和导通的控制电平，使微波开关和采用正向电压供电的控制电路和其它微波电路更好的实现单片集成，提高了集成度和可实现性，降低了设计的复杂度和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 增强 phemt 单刀 开关 | ||
【主权项】：
1、一种基于增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管的单刀单掷微波开关，其特征在于，该微波开关包括三个增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT、三个限流电阻R、两个隔直电容C和两个电压控制端，其中，所述第一电压控制端V1的正极通过第一限流电阻R1与第一增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT1的栅极连接；所述第二电压控制端V2的正极通过第二限流电阻R2与第二增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT2的栅极连接，通过第三限流电阻R3与第三增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT3的栅极连接；所述E PHEMT1的漏极、E PHEMT2的漏极同时与第一隔直电容C1的一端连接，第一隔直电容C1的另一端接输入端RF IN；所述E PHEMT1的源极、E PHEMT3的漏极同时与第二隔直电容C2的一端连接，第二隔直电容C2的另一端接输出端RF OUT。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710121977.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
