[发明专利]一种TFT阵列基板结构及其制造方法无效
申请号: | 200710120167.1 | 申请日: | 2007-08-10 |
公开(公告)号: | CN101364603A | 公开(公告)日: | 2009-02-11 |
发明(设计)人: | 王章涛;刘翔;邱海军 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 100176北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种TFT阵列基板结构,包括:基板,形成在基板的栅线和数据线,栅线和数据线之间通过栅绝缘层隔开,栅线和数据线交叉定义一个像素区域,每一区域至少包括一薄膜晶体管器件和像素电极,其中数据线与薄膜晶体管器件的源电极为一体结构,且数据线和薄膜晶体管器件的源电极下方均包含有有源层。本发明同时公开了一种无狭缝光刻技术的四次光刻制造TFT阵列基板的方法。本发明通过不采用相对复杂的狭缝光刻工艺,使TFT阵列的制造工艺简单、制造成本降低和提高成品率。 | ||
搜索关键词: | 一种 tft 阵列 板结 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种TFT阵列基板结构,包括:基板,形成在基板的栅线和数据线,栅线和数据线之间通过栅绝缘层隔开,栅线和数据线交叉定义一个像素单元,每一像素单元至少包括一薄膜晶体管器件和像素电极,其特征在于:所述数据线与所述薄膜晶体管器件的源电极为一体结构,且所述数据线和所述薄膜晶体管器件的源电极下方均包含有有源层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司,未经北京京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710120167.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:装有光纤连接器的光缆及其牵引部件和光纤连接器
- 下一篇:一种喷水工艺品
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的