[发明专利]一种TFT阵列基板结构及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200710120167.1 申请日: 2007-08-10
公开(公告)号: CN101364603A 公开(公告)日: 2009-02-11
发明(设计)人: 王章涛;刘翔;邱海军 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人: 刘芳
地址: 100176北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种TFT阵列基板结构,包括:基板,形成在基板的栅线和数据线,栅线和数据线之间通过栅绝缘层隔开,栅线和数据线交叉定义一个像素区域,每一区域至少包括一薄膜晶体管器件和像素电极,其中数据线与薄膜晶体管器件的源电极为一体结构,且数据线和薄膜晶体管器件的源电极下方均包含有有源层。本发明同时公开了一种无狭缝光刻技术的四次光刻制造TFT阵列基板的方法。本发明通过不采用相对复杂的狭缝光刻工艺,使TFT阵列的制造工艺简单、制造成本降低和提高成品率。
搜索关键词: 一种 tft 阵列 板结 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种TFT阵列基板结构,包括:基板,形成在基板的栅线和数据线,栅线和数据线之间通过栅绝缘层隔开,栅线和数据线交叉定义一个像素单元,每一像素单元至少包括一薄膜晶体管器件和像素电极,其特征在于:所述数据线与所述薄膜晶体管器件的源电极为一体结构,且所述数据线和所述薄膜晶体管器件的源电极下方均包含有有源层。
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