[发明专利]一种基于化学气相沉积制备碳纳米管阵列的方法无效
| 申请号： | 200710118930.7 | 申请日： | 2007-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN101077773A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 魏飞;张强;黄佳琦;骞伟中;王垚;罗国华 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市100*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于化学气相沉积制备碳纳米管阵列的方法，该方法采用现有成品混和碳源，如采用合成气、液化气、催化裂化干气、焦炉煤气、天然气、汽油、柴油或煤气作为制备碳纳米管阵列的碳源，并使用常规的化学气相沉积方法，制备碳纳米管阵列。本发明打破了现有技术中采用纯碳源作为其原料的技术局限，解决了制备碳纳米管阵列成本高，不易实现大规模制备的缺陷，从而既可有效降低成本，又容易实现碳纳米管阵列的批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 化学 沉积 制备 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于化学气相沉积法制备碳纳米管阵列的方法，其特征在于：采用合成气、液化气、催化裂化干气、焦炉煤气、天然气、汽油、柴油或煤气作为制备碳纳米管阵列的碳源，在保护气体气氛下使用催化剂裂解碳源实现化学气相沉积过程，从而在基板上生长出碳纳米管阵列。
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