[发明专利]尤其在闪存中用于刻蚀多晶硅上钨硅化物的方法无效
| 申请号： | 200710110585.2 | 申请日： | 2007-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101090065A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 李京泰;崔金韩;张飞;沙尚克·C·德斯穆克;美华·沈;托尔斯滕·B·莱尔;余在范 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3213;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种刻蚀多晶硅(50)上的钨硅化物(102)的方法，其尤其有益于制造由于微负载而要求长过刻蚀的具有密集填充区域(46)和开放(iso)区域(48)的闪存中。在过刻蚀中晶圆偏压降低。主要的刻蚀剂包括NF3和Cl2。添加氩气以防止在密集/独立界面处的底切。氧气和氮气氧化任何暴露的硅以改善刻蚀选择性并矫直刻蚀形貌。为了附加的选择性可添加SiCl4。 | ||
| 搜索关键词： | 尤其 闪存 用于 刻蚀 多晶 硅上钨硅化物 方法 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀硅层上的含钨层的方法，包括步骤：将衬底放置在等离子体反应器腔室中的电极上，该衬底包含含钨层、主要由硅组成的所述硅层，以及在所述含钨层上的刻蚀掩模；将第一气体混合物流入所述腔室的第一步骤，该第一混合气体由包含氯和氟的刻蚀气体以及包含氧气和氮气的氧化气体组成；采用第一级别的RF功率偏压所述电极；以及施加第二级别的RF功率以将所述第一气体混合物激发成等离子体从而充分地刻蚀至少所述含钨层以致暴露至少一些所述硅层，其中所述第二级别与所述第一级别的比率在4和8之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
