[发明专利]半导体滤波器结构和制造方法有效
| 申请号： | 200710110042.0 | 申请日： | 2007-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101090261A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 萨德哈玛·沙斯特里;瑞安·赫尔利;闻叶廷;艾米利·M.·莱恩翰;马克·A.·托马斯;厄尔·D.·富克斯 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H03H7/01 | 分类号： | H03H7/01;H03H3/007 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建忠 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一实施例中，一种传导类型的分裂阱区域在对立传导类型的半导体基底中形成。该分裂阱区域形成浮动电容器的一个板片和瞬态电压抑制器件的一个电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 滤波器 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种滤波器结构，包括：半导体区，所述半导体区为第一传导类型且具有第一主表面；第一浮动电容器器件，所述第一浮动电容器器件毗连所述第一主表面而形成；和第一瞬态电压抑制器件，所述第一瞬态电压抑制器件毗连所述第一主表面而形成，其中，所述第一浮动电容器器件和所述第一瞬态电压抑制器件共享第二传导类型的第一掺杂区域，所述第一掺杂区域在所述半导体区中形成，且其中，所述第一掺杂区域在所述第一主表面终止以使所述第一浮动电容器器件覆盖所述半导体区的一部分及所述第一掺杂区域的一部分。
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