[发明专利]介电层与薄膜晶体管无效
| 申请号： | 200710109412.9 | 申请日： | 2007-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101079440A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 许建宙 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/786;H01L23/532;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种介电层包括含氧的硅合物膜与含氮的硅合物膜。其中含氮的硅合物的傅立叶转换红外线光谱中，Si－N基的吸收峰强度与含氮的硅合物的膜厚比值实质上大于或实质上等于0.67/um。上述的介电层可应用于开关组件中。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种介电层，包括：一含氧的硅合物膜；以及一含氮的硅合物膜，且该含氮的硅合物膜的傅立叶转换红外线光谱中，Si-N基的吸收峰强度与该含氮的硅合物膜的膜厚比值实质上大于或实质上等于0.67/um。
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