[发明专利]介电层与薄膜晶体管

权利要求书

1.一种介电层，包括：

一含氧的硅合物膜；以及

一含氮的硅合物膜，且该含氮的硅合物膜的傅立叶转换红外线光谱中，Si-N基的吸收峰强度与该含氮的硅合物膜的膜厚比值实质上大于或实质上等于0.67/um。

2.如权利要求1所述的介电层，其中该含氮的硅合物膜的折射系数实质上大于1.8。

3.如权利要求1所述的介电层，其中该含氮的硅合物膜的折射系数介于约1.84至约2之间。

4.如权利要求1所述的介电层，其中该含氮的硅合物膜的压缩应力介于约115MPa至约-425MPa之间。

5.如权利要求1所述的介电层，其中该含氮的硅合物膜，配置于该含氧的硅合物膜上。

6.如权利要求1所述的介电层，其中该含氧的硅合物膜，配置于该含氮的硅合物膜上。

7.一种薄膜晶体管，包括：

一基板；

一主动层，配置于该基板上，且该主动层中具有一源极区、一漏极区以及位于该源极区与该漏极区之间的一通道区；

一第一介电层，配置于该基板上，以覆盖该主动层；

一栅极，配置于部份该第一介电层上；

一第二介电层，配置在该基板上，且覆盖该栅极；

一源极/漏极，配置于部份该第二介电层上，且电性连接于该主动层的该源极区/该漏极区；

一第三介电层，配置于该基板上，且覆盖该源极/漏极；以及

一像素电极，配置于部份该第三介电层上，且电性连接于该源极/漏极；

其中，该第一介电层、该第二介电层及该第三介电层的其中至少一者具有一含氧的硅合物膜与一含氮的硅合物膜其中至少一者，且该含氮的硅合物膜的傅立叶转换红外线光谱中，Si-N基的吸收峰强度与该含氮的硅合物的膜厚比值实质上大于或实质上等于0.67/um。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中该含氮的硅合物膜的折射系数实质上大于1.8。

9.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中该含氮的硅合物膜的折射系数介于约1.84至约2之间。

10.如权利要求7所述的薄膜晶体管，该含氮的硅合物膜的压缩应力介于约115MPa至约-425MPa之间。

11.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中该第一介电层、该第二介电层及该第三介电层的其中至少一者具有该含氮的硅合物膜，配置于该含氧的硅合物膜上。

12.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中该第一介电层、该第二介电层及该第三介电层的其中至少一者具有该含氧的硅合物膜，配置于该含氮的硅合物膜上。

13.如权利要求7所述的薄膜晶体管，更包含一缓冲层，配置于该基板上。

14.如权利要求13所述的薄膜晶体管，其中该缓冲层具有该含氧的硅合物膜与该含氮的硅合物膜其中至少一者，且该含氮的硅合物膜的傅立叶转换红外线光谱中，Si-N基的吸收峰强度与该含氮的硅合物的膜厚比值实质上大于或实质上等于0.67/um。

15.如权利要求14所述的薄膜晶体管，其中，该含氮的硅合物膜，配置于该含氧的硅合物膜上。

16.如权利要求14所述的薄膜晶体管，其中，该含氧的硅合物膜，配置于该含氮的硅合物膜上。

17.一种薄膜晶体管，包括：

一基板；

一栅极，配置于该基板上；

一第一介电层，配置于该基板上，以覆盖该栅极；

一主动层，配置于部份该第一介电层上，且该主动层中具有一源极区、一漏极区以及位于该源极区与该漏极区之间的一通道区；

一源极/漏极，连接于该主动层的该源极区/该漏极区；

一第二介电层，配置在该基板上，且覆盖该源极/该漏极、该主动层及该第一介电层；以及

一像素电极，配置于部份该第二介电层上，且电性连接于该源极/漏极；

其中，该第一介电层及该第二介电层的其中至少一者具有一含氧的硅合物膜与一含氮的硅合物膜其中至少一者，且该含氮的硅合物膜的傅立叶转换红外线光谱中，Si-N基的吸收峰强度与该含氮的硅合物的膜厚比值实质上大于或实质上等于0.67/um。