[发明专利]用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料无效
| 申请号： | 200710109363.9 | 申请日： | 2005-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101101965A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 冯洁;乔保卫;赖云峰;蔡炳初;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学;硅存储技术公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56;G11B7/243;C22C29/00;G03C1/705 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种微电子技术领域的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，为硫族化物合金TeaSibSb100-(a+b)，其中48≤a≤60，8≤b≤40。本发明具有比常用的Ge2Sb2Te5相变薄膜较高的晶态电阻，同时具有更高的非晶态/晶态电阻变化率，更低的非晶态/晶态薄膜厚度变化率和更低的熔点。这些特征使得采用含Si系列硫族化物相变薄膜的存储器可以具有更高的开/关比和器件稳定性，有助于降低存储器的写操作电流，同时有利于实现更高密度的多值存储。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 系列 硫族化物 薄膜 材料 | ||
【主权项】：
1、一种用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，其特征在于，为硫族化物合金TeaSibSb100-(a+b)，其中48≤a≤60，8≤b≤40。
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