[发明专利]存储器的制造方法和存储器

摘要

本发明提供了一种存储器的制造方法，通过这种方法可以提高从存储单元读取信号的强度。这种存储器的制造方法包括以下工序：通过对形成于第1电极膜上的存储材料膜的一部分进行规定厚度的蚀刻，形成存储部和被蚀刻的薄膜部的工序；以至少覆盖存储材料膜的薄膜部的方式形成绝缘膜的工序；在绝缘膜上的规定区域形成蚀刻掩膜之后，使其作为蚀刻掩膜，通过对绝缘膜与存储材料膜的薄膜部进行蚀刻来将绝缘膜与存储材料膜的薄膜部图形化的工序。

主权项

1.一种存储器，其特征在于，包括：第1电极膜；存储材料膜，在所述第1电极膜上形成，包括存储部和薄膜部，其中，所述薄膜部厚度小于所述存储部的厚度，而且所述薄膜部的平均厚度在所述存储部厚度的15％以上；第2电极膜，在所述存储材料膜的存储部上形成；存储单元阵列区域，包含具有所述第1电极膜、所述存储材料膜、所述第2电极膜的单纯矩阵式的多个存储单元；外围电路区域，在从平面上看与所述存储单元阵列区域不同的区域上形成，包含晶体管；以及抑制氢的扩散的绝缘膜，以实质上全面覆盖所述存储单元阵列区域的形成有所述存储单元的区域的方式形成，不形成于包含所述晶体管的外围电路区域。