[发明专利]高电流离子植入系统及其中的改良装置和绝缘体有效
| 申请号： | 200710106828.5 | 申请日： | 2007-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN101071752A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 黄恺杰;郭永政;徐敏恭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/08;H01L21/265;C23C14/48 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电流离子植入系统及其中的改良装置和绝缘体。该离子植入系统，包括保持高电位的一离子源，一接地末端平台用以支撑基板，以及多个萃取电极从一离子源加速离子，并指引一离子束到末端平台的基板上，该离子植入系统包括：一绝缘体放置在一第一元件和一第二元件之间，第一元件是高电压元件而第二元件是低电压或接地元件；绝缘体包括具有一外部圆柱体围绕的一内部圆柱体，且外部圆柱体和内部圆柱体之间有一裂口；以及外部圆柱体有对应的二个末端，且其中一末端放射状地与内部圆柱体连接。本发明还公开了一种改良装置和绝缘体。本发明可以防止绝缘体被包含离子束的气体所包覆而形成一漏电流路径，而无需替换源头元件。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 离子 植入 系统 及其 中的 改良 装置 绝缘体 | ||
【主权项】：
1.一种离子植入系统，包括保持高电位的一离子源，一接地末端平台用以支撑基板，以及多个萃取电极从一离子源加速该离子，并指引一离子束到该末端平台的该基板上，其特征在于该离子植入系统包括：一绝缘体放置在一第一元件和一第二元件之间，该第一元件是高电压元件而该第二元件是低电压或接地元件；该绝缘体包括具有一外部圆柱体围绕的一内部圆柱体，且该外部圆柱体和该内部圆柱体之间有一裂口；以及该外部圆柱体有对应的二个末端，且其中一末端放射状地与该内部圆柱体连接。
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