[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 200710106452.8 | 申请日： | 2007-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN101083283A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 君塚直彦;中原宁 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：硅衬底；接触硅衬底上部而提供的SiO2膜；和p型MOSFET，其包括接触SiO2膜的上部而提供的多晶硅膜。此外，SiO2膜的内部或SiO2膜和多晶硅膜之间的界面提供有如下区域，该区域包括面密度不高于1.3×1014原子/cm2的Hf和Zr中的至少一种金属元素。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括p型场效应晶体管，所述p型场效应晶体管包括：半导体衬底；栅绝缘膜，其被设置为接触所述半导体衬底的上部；和栅电极，其被设置为接触所述栅绝缘膜的上部，其中在所述栅绝缘膜中或在所述栅绝缘膜和所述栅电极之间的界面中包括如下区域，所述区域包含面密度不高于1.3×1014原子/cm2的铪(Hf)和锆(Zr)中的至少一种金属元素。
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