[发明专利]磁阻效应元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710105543.X | 申请日： | 2007-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101154388A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 平野浩二;小田切充 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰;李建忠 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及磁阻效应元件及其制造方法。所述磁阻效应元件包含：磁化固定层；形成在所述磁化固定层上的阻挡层；和形成在所述阻挡层上的自由层。所述磁阻效应元件的制造方法包括以下步骤：在基板上形成所述磁化固定层；形成金属膜作为所述阻挡层，其中，所述磁化固定层侧的金属膜的一部分处于无定形状态或微晶态，而在另一侧的其另一部分处于晶态；在氧化性气氛中自然氧化所述金属膜；在所述被氧化的金属层上形成所述自由层。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻效应元件的制造方法，所述磁阻效应元件包含磁化固定层、形成在所述磁化固定层上的阻挡层和形成在所述阻挡层上的自由层，所述制造方法包括以下步骤：在基板上形成所述磁化固定层；形成金属膜作为所述阻挡层，其中，所述磁化固定层侧的金属膜的一部分由无定形物质或微晶物质构成，而在另一侧的金属膜的另一部分由结晶物质构成；在氧化性气氛中自然氧化所述金属膜；和在所述被氧化的金属层上形成所述自由层。
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