[发明专利]磁阻效应元件及其制造方法

权利要求书

1.一种磁阻效应元件的制造方法，所述磁阻效应元件包含磁化固定层、形成在所述磁化固定层上的阻挡层和形成在所述阻挡层上的自由层，

所述制造方法包括以下步骤：

在基板上形成所述磁化固定层；

形成金属膜作为所述阻挡层，其中，所述磁化固定层侧的金属膜的一部分由无定形物质或微晶物质构成，而在另一侧的金属膜的另一部分由结晶物质构成；

在氧化性气氛中自然氧化所述金属膜；和

在所述被氧化的金属层上形成所述自由层。

2.如权利要求1所述的方法，

其中，在所述金属膜的形成步骤中，所述金属膜的所述一部分的成膜速率低于所述金属膜的所述另一部分的成膜速率，以便使所述一部分中的晶粒小于所述另一部分中的晶粒。

3.如权利要求2所述的方法，

其中，在所述金属膜的形成步骤中，利用溅射法形成所述金属膜，并且，

用于形成所述金属膜的所述一部分的施加到基板上的电功率小于用于形成所述金属膜的所述另一部分的施加到基板上的电功率，以便使所述金属膜的所述一部分的成膜速率较低。

4.如权利要求3所述的方法，

其中，用于形成所述金属膜的所述一部分的电功率为1W/cm²～3W/cm²，并且

用于形成金属膜的所述另一部分的电功率为5W/cm²～10W/cm²。

5.如权利要求1所述的方法，

其中，所述金属膜的所述一部分的厚度为所述金属膜的厚度的30％～50％。

6.一种磁阻效应元件，所述元件包含：磁化固定层；形成在所述磁化固定层上的阻挡层；和形成在所述阻挡层上的自由层，

其中，所述阻挡层为被氧化的金属膜，其中，所述磁化固定层侧的金属膜的一部分由无定形物质或微晶物质构成，而在另一侧的金属膜的另一部分为结晶物质。

7.如权利要求6所述的磁阻效应元件，

其中，所述阻挡层的厚度的30％～50％由被氧化的无定形物质或被氧化的微晶物质构成。