[发明专利]具有在衬底之内包括氘的隔离结构的结构和相关方法无效
| 申请号： | 200710104746.7 | 申请日： | 2007-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN101068017A | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | 程慷果;权五正;金德起;J·W·阿德基桑 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了具有包括氘的隔离结构的结构和相关方法。一种结构包括用于半导体器件的衬底，在衬底之内包括隔离结构，该隔离结构包括氘。衬底可以包括绝缘体上半导体衬底。一种方法可以包括步骤：在衬底中提供隔离结构，该隔离结构包括氘；和进行退火，以将氘扩散到衬底中(在形成栅电介质之前和/或之后)。这些结构和方法提供一种并入氘并且减少缺陷的更有效手段。另外，氘退火可以在生产线前端(FEOL)工艺期间栅电介质形成之前进行，以便可以使退火温度较高，以在减小的退火时间下改进氘并入。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 衬底 之内 包括 隔离 结构 相关 方法 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包括：用于多个半导体器件的衬底，包括隔离结构，用于在所述衬底之内使各个器件相互隔离，所述隔离结构包括氘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
