[发明专利]制造层结构的方法无效
| 申请号： | 200710101837.5 | 申请日： | 2007-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN101068001A | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | 迭戈·费若;京特·施瓦布;托马斯·布施哈尔特 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/762;H01L21/84;H01L21/306;H01L21/311;C23F1/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及用于制造层结构的方法，该层结构包括经光滑化的中间层以及施加在所述中间层上的覆盖层，其中用含有氟化氢的气态蚀刻剂处理所述中间层，并在实现材料去除的情况下使所述中间层光滑化。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 结构 方法 | ||
【主权项】：
1、用于制造层结构的方法，该层结构包括经光滑化的中间层以及施加在所述中间层上的覆盖层，其特征在于，用含有氟化氢的气态蚀刻剂处理所述中间层，实现材料去除并使所述中间层光滑化。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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