[发明专利]相变存储单元的热隔绝无效
| 申请号： | 200710101627.6 | 申请日： | 2007-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN101106152A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | U·G·冯施维林;T·哈普;J·B·菲利普 | 申请（专利权）人： | 奇梦达北美有限公司;奇梦达股份公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L23/522;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;李丙林 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种存储器，包括电阻存储单元的阵列、用于存取存储单元的在存储单元的行之间的位线、和耦合到每个存储单元的导电板。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 单元 隔绝 | ||
【主权项】：
1.一种存储器，包括：电阻存储单元的阵列；在存储单元行之间用于存取存储单元的位线；和耦合到每个存储单元的导电板。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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