[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710100942.7 | 申请日： | 2007-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101064347A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;铃木幸惠;荒井康行;守屋芳隆;池田佳寿子;棚田好文;高桥修平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;刘宗杰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，其具有半导体层、覆盖所述半导体层的端部的栅电极和用于使所述半导体层和所述栅电极绝缘的绝缘层。使所述半导体层与所述栅电极相互重叠的区域绝缘的绝缘层的膜厚度大于覆盖所述半导体层的中央部分绝缘层的膜厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：形成于绝缘表面上的半导体层；形成于所述半导体层上的栅电极；以及设置于所述半导体层和所述栅电极之间的绝缘层，其中，所述绝缘层包括具有第二膜厚度的第一区域和具有第二膜厚度的第二区域，所述第二膜厚度大于所述第一膜厚度，并且其中，具有所述第二膜厚度的所述第二区域覆盖所述栅电极叠覆的所述半导体层的端部。
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