[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体元件及其制作方法无效
| 申请号： | 200710096017.1 | 申请日： | 2007-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101286528A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 李治华;李健维 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种横向扩散金属氧化物半导体元件，包含第一导电型式的半导体基底、第二导电型式的第一井区、隔离结构设置于该半导体基底的表面，以及第一导电型式的重度掺杂的深掺杂区，设置于该第一井区的下半部与该半导体基底的交界处，其中部分该深掺杂区位于该第一井区的下半部之内，而部分该深掺杂区位于该半导体基底之中。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种横向扩散金属氧化物半导体元件，包含有：半导体基底，其具有第一导电型式；第一井区，其具有第二导电型式，设置于部分该半导体基底之中；隔离结构，设置于部分该第一井区的上半部；漏极区域，设置于该隔离结构一侧的该第一井区之中；第二井区，设置于该隔离结构相对于该漏极区域的另一侧的部分半导体基底之中，且该第二井区具有该第一导电型式；源极区域，设置于第二井区之中；以及具有该第一导电型式的深掺杂区，设置于该第一井区的下半部与该半导体基底的交界处，其中该深掺杂区为重度掺杂，且部分该深掺杂区位于该第一井区的下半部之内，而部分该深掺杂区位于该半导体基底之中。
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