[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件，包括：位于半导体衬底中的隔离结构，位于有源区中的沟道导电类型为n型的MOS晶体管区域的深n型掺杂阱；形成于半导体衬底上的n型的MOS晶体管。所述深n型掺杂阱位于该区域的p型掺杂阱之下、与其两侧n型掺杂阱相电连接、且其离子掺杂浓度峰值与等深度下的n型掺杂阱的掺杂离子浓度等范围。本发明还提供了一种上述半导体器件的形成方法。本发明通过在半导体衬底中的n型MOS晶体管所在区域形成深n型掺杂阱，实现对n型MOS晶体管与半导体衬底进行纵向隔离和两侧的半导体器件进行横向隔离，减小了混合集成电路中的噪声耦合问题。

主权项

1. 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：在半导体衬底中形成隔离结构，把半导体衬底分为不同有源区；在有源区的沟道为第一导电类型的MOS晶体管区域形成第二导电类型的掺杂阱；在有源区的沟道为第二导电类型的MOS晶体管区域形成第一导电类型的掺杂阱，所述第一、第二导电类型相反，分别为为n型或者p型；在有源区的沟道导电类型为n型的MOS晶体管区域内进行深离子注入形成深n型掺杂阱，所述深n型掺杂阱位于该区域的p型掺杂阱之下、与其两侧沟道导电类型为p型的MOS晶体管区域的掺杂阱相电连接、且其离子掺杂浓度峰值与等深度下的p型的MOS晶体管区域的掺杂阱的掺杂离子浓度等范围；对第一、第二导电类型掺杂阱及深n型掺杂阱进行退火；在半导体衬底上形成沟道分别为第一导电类型和第二导电类型的MOS晶体管。