[发明专利]MOS晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 200710094406.0 | 申请日： | 2007-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN101452853A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 赵猛;李家豪 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种具有超浅结的MOS晶体管的形成方法，包括：以栅极结构为掩膜，向半导体衬底中进行第一离子注入；以栅极结构为掩膜，向半导体衬底中进行第二离子注入，形成源极区、漏极区，所述第二离子注入的离子的原子序数比第一离子注入的离子的原子序数大；对源极区、漏极区进行退火。本发明通过改变形成MOS晶体管的源/漏极的离子注入次序，在形成MOS晶体管的源/漏极工艺中，先注入原子序数较小离子，后注入原子序数较大离子，加大了源/漏极与半导体衬底中的p型掺杂阱之间形成的PN结耗尽宽度，降低了源/漏极结电容和漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种具有超浅结的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供带有栅极结构的半导体衬底；以栅极结构为掩膜，向半导体衬底中进行第一离子注入；以栅极结构为掩膜，向半导体衬底中进行第二离子注入，形成源极区、漏极区，所述第二离子注入的离子的原子序数比第一离子注入的离子的原子序数大；对源极区、漏极区进行退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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