[发明专利]检测钛缺失的方法有效
| 申请号： | 200710094311.9 | 申请日： | 2007-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101452866A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 张博;徐云 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 平 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种检测钛缺失的方法，钨插塞与其上的金属层之间包括金属钛阻挡层，所述方法包括如下步骤：第1步，确保钨插塞下方的金属层具有一条或多条平行铝线，每条铝线连接且只连接两个相邻的钨插塞，每个钨插塞连接且只连接一条铝线；第2步，使用包含氯气的刻蚀气体在钨插塞上方的金属层刻蚀一道或多道平行沟槽，每道沟槽都在上下方向对应且只对应于第1步所述的铝线所在位置，每道沟槽都使两个相邻的钨插塞的部分顶部暴露于刻蚀气体；第3步，在第2步刻蚀后的图形的任意位置施加电信号，在其余位置检测电信号，当检测的电信号的衰减超出一定程度则表示出现钛缺失。本发明可以使用通常的电学检测方法检测钛缺失现象，大大提高了检测效率。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 缺失 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种检测钛缺失的方法，钨插塞与其上的金属层之间包括金属钛阻挡层，其特征是：所述方法包括如下步骤：第1步，确保钨插塞下方的金属层具有一条或多条平行铝线，每条铝线连接且只连接两个相邻的钨插塞，每个钨插塞连接且只连接一条铝线；第2步，使用包含氯气的刻蚀气体在钨插塞上方的金属层刻蚀一道或多道平行沟槽，每道沟槽都在上下方向对应且只对应于第1步所述的铝线所在位置，每道沟槽都使两个相邻的钨插塞的部分顶部暴露于刻蚀气体；第3步，在第2步刻蚀后的图形的任意位置施加电信号，在其余位置检测电信号，当检测的电信号的衰减超出一定程度则表示出现钛缺失。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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