[发明专利]检测钛缺失的方法有效
申请号: | 200710094311.9 | 申请日: | 2007-11-28 |
公开(公告)号: | CN101452866A | 公开(公告)日: | 2009-06-10 |
发明(设计)人: | 张博;徐云 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 平 |
地址: | 201206上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 缺失 方法 | ||
1.一种检测钛缺失的方法,其特征是:所述方法包括如下步骤:
第1步,确保钨插塞下方的金属层具有一条或多条平行铝线,每条铝线连接且只连接两个相邻的钨插塞,每个钨插塞连接且只连接一条所述铝线;
第2步,在钨插塞上形成金属钛阻挡层,在金属钛阻挡层上形成金属层,使用包含氯气的刻蚀气体在钨插塞上方的金属层刻蚀一道或多道平行沟槽,每道沟槽都在上下方向对应且只对应于第1步所述的铝线所在位置,每道沟槽都使两个相邻的钨插塞的部分顶部暴露于刻蚀气体;
第3步,在第2步刻蚀后的图形的任意位置施加电信号,在其余位置检测电信号,当检测的电信号的衰减超出一定程度则表示出现钛缺失。
2.根据权利要求1所述的检测钛缺失的方法,其特征是:所述方法的第1步中,所述铝线与钨插塞之间的连接为电气连接,所述铝线与钨插塞之间为直接连接或通过导电的介质层相连接。
3.根据权利要求1所述的检测钛缺失的方法,其特征是:所述方法的第2步中,刻蚀后的图形为一条或多条平行铝线,每条铝线都部分覆盖在两个相邻的钨插塞之上。
4.根据权利要求1所述的检测钛缺失的方法,其特征是:所述方法的第2步中,当一个沟槽使一个钨插塞的部分顶部暴露于刻蚀气体,所述钨插塞上方的金属钛阻挡层也暴露于刻蚀气体。
5.根据权利要求3所述的检测钛缺失的方法,其特征是:所述方法的第2步中,在不发生钛缺失的情况下,从一条最外侧的铝线到另一条最外侧的铝线之间通过钨插塞、金属钛阻挡层、钨插塞上方和下方金属层的铝线构成一条电气通路。
6.根据权利要求1所述的检测钛缺失的方法,其特征是:所述方法的第2步中,每道沟槽都使两个相邻的钨插塞的一半顶部暴露于刻蚀气体。
7.根据权利要求3所述的检测钛缺失的方法,其特征是:所述方法的第2步中,每条铝线都覆盖两个相邻的钨插塞的一半顶部。
8.根据权利要求5所述的检测钛缺失的方法,其特征是:所述方法的第3步中,在一条最外侧的铝线上施加电信号,在另一条最外侧的铝线上检测电信号。
9.根据权利要求1所述的检测钛缺失的方法,其特征是:所述方法的第3步中,当检测不到电信号则表示出现钛缺失。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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