[发明专利]动态侦测静电保护电路结构有效
| 申请号： | 200710094271.8 | 申请日： | 2007-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN101442046A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 田光春 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/60;H02H9/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种动态侦测静电保护电路结构，包括并接在静电端和接地端之间的动态侦测电路、中间隔离电路、静电泄放电路；所述动态侦测电路由电阻和电容串接组成；所述中间隔离电路用于隔离动态侦测电路和静电泄放电路，并驱动静电泄放电路；中间隔离电路的输入端与动态侦测电路电连接，其输出端与静电泄放电路的输入端电连接；其中：所述中间隔离电路由误差放大器构成，利用误差放大器的参考电压Vref来控制对静电泄放电路的栅极电容进行充电或放电。本发明不仅可以灵活设置参考电压Vref，而且在版图中，对于动态侦测电路的电阻和电容的位置摆放也可以更灵活。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 侦测 静电 保护 电路 结构 | ||
【主权项】：
1、一种动态侦测静电保护电路结构，包括并接在静电端和接地端之间的动态侦测电路、中间隔离电路、静电泄放电路；所述动态侦测电路由电阻和电容串接组成；所述中间隔离电路用于隔离动态侦测电路和静电泄放电路，并驱动静电泄放电路；所述静电泄放电路由ESD NMOS管构成；中间隔离电路的输入端与动态侦测电路电连接，其输出端与静电泄放电路的输入端电连接；其特征在于：所述中间隔离电路由误差放大器构成，利用误差放大器的参考电压Vref来控制对静电泄放电路的栅极电容进行充电或放电。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
