[发明专利]监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法有效
| 申请号： | 200710093959.4 | 申请日： | 2007-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN101350326A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 季伟;谢煊;徐伟中;缪燕 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/68;C30B25/12 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法，是在安装完基座之后，采用如下步骤：在硅片上淀积一层对多晶锗硅膜；在多个与基座中心位置等距离的环带上取等间隔的点，测量各个点上的多晶锗硅膜的厚度；判断各个与基座中心位置等距离的环带上的多晶锗硅膜的厚度是否均匀，如果均匀则判定基座安装已经中心化，否则需要开腔重新安装基座。本发明方法简便，可以避免因基座位置安装不中心化而导致锗硅腔体需要重新进行预防性维护保养。 | ||
| 搜索关键词： | 监控 外延 反应 基座 安装 中心 方法 | ||
【主权项】：
1、一种监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法，其特征在于，该方法是在安装完基座之后，采用如下步骤：(1)在硅片上淀积一层对多晶锗硅膜；(2)在多个与基座中心位置等距离的环带上取等间隔的点，测量各个点上的多晶锗硅膜的厚度；(3)判断各个与基座中心位置等距离的环带上的多晶锗硅膜的厚度是否均匀，如果均匀则判定基座安装已经中心化，否则需要开腔重新安装基座。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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