[发明专利]薄膜晶体管面板及其制造方法有效
| 申请号： | 200710092304.5 | 申请日： | 2007-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN101017835A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 柳春基;金奉柱 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板，包括：基板；第一信号线，形成在该基板上；栅绝缘层，形成在该第一信号线上，并具有露出该第一信号线一部分的第一接触孔；第一半导体，形成在该栅绝缘层上；第二信号线，形成在该第一半导体和该栅绝缘层上；和漏极电极，形成在该第一半导体上，并与该第二信号线隔开。该TFT阵列面板还包括：导体，形成在该栅绝缘层上，并通过该第一接触孔连接到第一信号线；钝化层，形成在该第二信号线、该漏极电极和该导体上，并具有露出该漏极电极的第二接触孔；和像素电极，形成在该钝化层上，并通过该第二接触孔连接到该漏极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板，包括：基板；第一信号线，形成在该基板上：栅绝缘层，形成在该第一信号线上，该栅绝缘层具有露出该第一信号线一部分的第一接触孔；第一半导体，形成在该栅绝缘层上；第二信号线，形成在该第一半导体和该栅绝缘层上；漏极电极，形成在该第一半导体上，并与该第二信号线隔开；导体，形成在该栅绝缘层上，并通过该第一接触孔连接到该第一信号线；钝化层，形成在该第二信号线、该漏极电极和该导体上，该钝化层具有露出该漏极电极的第二接触孔；和像素电极，形成在该钝化层上，并通过该第二接触孔连接到该漏极电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
