[发明专利]薄膜晶体管与像素结构及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种薄膜晶体管与像素结构及其制造方法，该方法是先提供一基板，形成一具有一主动区及一储存电容区的半导体层于透光基板上，并于半导体层上形成一源极及一漏极，接着于源极、漏极及半导体层上形成一隔离层，再于隔离层上形成一栅极及一电容电极，栅极及电容电极分别设于与主动区及储存电容区的对应处上，并于栅极、电容电极及隔离层上依序形成一介电层及一屏蔽层，如此已形成一薄膜晶体管，接着于屏蔽层形成一开口图案进行刻蚀，进而形成一接触窗，最后形成一导电层于屏蔽层上，使得漏极通过接触窗与导电层电性连接，如此经上述步骤形成一像素结构，本发明的像素结构可增加其储存电容量，且不会降低开口率，又可防止金属外漏。

主权项

1.一种像素结构，其特征是，该像素结构包含：一基板；一半导体层，设置于该基板上，并包含一主动区及一储存电容区；一源极以及一漏极，设置于该半导体层上；一隔离层，设置于该源极、漏极以及半导体层上；一栅极，设置于该隔离层上并位于所述的主动区上方；一介电层，设置于该栅极上；一屏蔽层，设置于该介电层上，并包含一接触窗，该接触窗以暴露所述的漏极；及一导电层，设置于所述的屏蔽层上，并通过所述的接触窗与所述的漏极电性连接。