[发明专利]可挠性阵列基板的制造方法有效
| 申请号： | 200710091508.7 | 申请日： | 2007-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101026090A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 方国龙;黄俊杰;林汉涂;蔡佳琪 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/84;G02F1/133;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明为一种可挠性阵列基板的制造方法。首先，提供一硬质基板。然后，于硬质基板上形成缓冲层。接着，将可挠性基板粘着于缓冲层上，以形成一基板模块。随之，于可挠性基板上进行成膜制造工艺。值得注意的是，形成缓冲层于硬质基板上时所产生的应力状态及缓冲层的物理性质可使可挠性基板在经过成膜制造工艺所导致的热膨胀收缩后所产生的翘曲减小。在经过成膜制造工艺之后，可挠性基板不易产生翘曲或是变形，因而提升可挠性阵列基板的制造工艺良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 可挠性 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可挠性阵列基板的制造方法，其特征在于，该方法包括：提供一硬质基板；于所述的硬质基板上形成一缓冲层，使得所述的缓冲层以及所述的硬质基板产生一第一弯曲方向；接合一可挠性基板以及所述的缓冲层；以及于所述的可挠性基板上进行一成膜制造工艺，其中进行所述的成膜制造工艺时，所述的可挠性基板产生一第二弯曲方向，且所述的第一弯曲方向以及所述的第二弯曲方向大致相反。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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