[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 200710091405.0 | 申请日: | 2007-03-28 |
公开(公告)号: | CN101047116A | 公开(公告)日: | 2007-10-03 |
发明(设计)人: | 基村雅洋 | 申请(专利权)人: | 大日本网目版制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/30;H01L21/67;H01L21/304 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王玉双 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种能够对基板执行良好的干燥处理的基板处理装置。喷出管设置在处理腔室内,喷出干燥气体。减压泵对处理腔室内进行排气而使之成为减压环境。干燥气体供给路径将在第一干燥气体生成部、第二干燥气体生成部中生成的干燥气体供给到喷出管。第一干燥气体生成部通过用氮气使存积在加热槽中的IPA液起泡来生成干燥气体。第二干燥气体生成部通过将在IPA蒸汽产生槽中蒸发的IPA蒸汽与氮气相混合来生成干燥气体。这样,将在多个干燥气体生成部生成的干燥气体供给到处理腔室内,能够提高处理腔室内的IPA蒸汽的浓度。因此,能够缩短干燥时间,提高干燥性能。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其对基板进行干燥处理,其特征在于,该装置包括:处理腔室,其用于容置基板;干燥气体供给部,其设置在所述处理腔室内,向所述处理腔室内供给干燥气体;第一生成部,其用于生成干燥气体;第二生成部,其用于生成干燥气体;载气供给路径,其用于向所述第一生成部以及第二生成部供给载气;干燥气体供给路径,其向所述干燥气体供给部供给在所述第一生成部中生成的干燥气体以及在所述第二生成部中生成的干燥气体,所述第一生成部包括:第一存积槽,其用于存积干燥液;加热部,其对存积在所述第一存积槽中的干燥液进行加热;第一载气导入路径,其与所述载气供给路径相连接,将从所述载气供给路径供给的载气导入到存积在所述第一存积槽中的干燥液内,其中,使从所述第一载气导入路径导入的载气与在所述第一存积槽内产生的干燥液的蒸汽相混合而生成干燥气体,所述第二生成部包括:第二存积槽,其用于存积干燥液;气体混合室,其用于容置所述第二存积槽;提取部,其将在所述第一存积槽中被加热的干燥液提取到所述第二存积槽中;第二载气导入路径,其与所述载气供给路径相连接,将从所述载气供给路径供给的载气导入到所述气体混合室中,其中,使从所述第二载气导入路径导入的载气与在所述第二存积槽内产生的干燥液的蒸汽相混合而生成干燥气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造