[发明专利]薄膜晶体管有效
| 申请号： | 200710089749.8 | 申请日： | 2007-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101271923A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 赖钦诠;吴泉毅;蔡依芸 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/04;H01L29/45 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 左一平 |
| 地址： | 台湾省台北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管，其包括一基板、一栅极、一栅绝缘层、一半导体层、一欧姆接触层以及一源极与一漏极。其中，栅极配置于基板上，而栅绝缘层配置于基板上，并覆盖栅极。半导体层配置于栅绝缘层上，且位于栅极上方。半导体层包括一未掺杂非晶硅层与一第一未掺杂微晶硅层，其中第一未掺杂微晶硅层则配置于未掺杂非晶硅层上。另外，欧姆接触层配置于部分半导体层上，而源极与漏极则配置于欧姆接触层上。因此，本发明的薄膜晶体管具有较佳的品质控制及电性特性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1. 一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：一基板；一栅极，配置于所述基板上；一栅绝缘层，配置于所述基板上，并覆盖所述栅极；一半导体层，配置于所述栅绝缘层上，并位于所述栅极上方，而所述半导体层包括：一未掺杂非晶硅层；一第一未掺杂微晶硅层，配置于所述未掺杂非晶硅层上；一欧姆接触层，配置于部分所述半导体层上；以及一源极与一漏极，配置于所述欧姆接触层上。
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