[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200710089738.X | 申请日： | 2007-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101079413A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 早水勋;田中彰一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/488;H01S5/00;H01S5/026;G11B7/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过在Si芯片37的侧面42沿封装件的长边一侧配置谐振器长度长的大输出功率的半导体激光芯片39，从而能够实现将半导体激光芯片39与信号处理用受光元件进行集成的半导体器件30的薄型化及小型化，再有，通过使用该半导体器件30，从而光学拾取头装置及使用该光学拾取头装置的光盘驱动器装置都能够实现薄型化及小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，射出及接受激光，其特征在于，具有：将所述半导体器件进行封装的封装件；在所述封装件的底座上形成的、具有一个或多个信号检测用受光元件的Si芯片；在与所述Si芯片的与所述底座的连接面相邻的侧面配置的、使得谐振器长度方向与所述封装件的长边方向一致并从端面射出激光的半导体激光芯片；具有将所述激光向垂直于所述封装件的主面的方向反射的反射面的反射镜部；以及与所述Si芯片的电极电连接、成为所述半导体器件的外部电极的引线端。
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