[发明专利]制造场效应晶体管的方法以及半导体结构有效
| 申请号： | 200710089477.1 | 申请日： | 2007-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101043055A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | W·C·纳兹勒;S·潘达;B·L·特塞尔;R·S·阿莫斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过减薄栅电极以提供厚度减小的栅电极，制造了具有减小的栅电容的半导体结构。所述栅电极是在形成邻接所述栅电极的隔离物层之后被减薄的。另外，还可以减小所述隔离物层的高度。所述隔离物层因此具有为相对于延伸区域定位本体源极/漏极所希望的增大的水平宽度，特别地，相对于所述隔离物高度的增大的水平宽度。所述厚度减小的栅电极可以被完全硅化，以提供减小的栅电阻。加高的源极/漏极层可以位于所述本体源极/漏极区域上。所述加高的源极/漏极层可以具有高于所述厚度减小的栅电极的顶面。另外，所述加高的源极/漏极层可以具有高于所述高度减小的隔离物层的顶面。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 场效应 晶体管 方法 以及 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：半导体衬底，具有使源极/漏极区域对隔离的沟道区域；以及栅电极，位于所述沟道区域上方，其中所述栅电极的顶面不高于所述源极/漏极区域对的顶面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710089477.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：编织机中的喂纱装置
- 下一篇：用于制造熔融铁的方法和设备
- 同类专利
- 专利分类
