[发明专利]制造场效应晶体管的方法以及半导体结构有效
| 申请号： | 200710089477.1 | 申请日： | 2007-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101043055A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | W·C·纳兹勒;S·潘达;B·L·特塞尔;R·S·阿莫斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 场效应 晶体管 方法 以及 半导体 结构 | ||
【权利要求书】：
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