[发明专利]非易失性相变存储设备和相关的编程-挂起-读取操作无效
申请号: | 200710088555.6 | 申请日: | 2007-03-16 |
公开(公告)号: | CN101038789A | 公开(公告)日: | 2007-09-19 |
发明(设计)人: | 金惠珍;李光振;姜尚范;朴茂熙 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C11/56 | 分类号: | G11C11/56;G11C16/06;G11C16/10;G11C16/08;G11C16/26 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 钱大勇;蒲迈文 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种在PRAM设备中执行编程-挂起-读取操作的方法,该方法包括:响应于编程操作请求而对包括N个单位编程块的写入块编程;以及响应于读取操作请求而在对M个单位编程块编程后挂起编程操作,其中M小于N。该方法还包括:执行所请求的读取操作,然后恢复对写入数据块的编程;以及对剩余的N-M个编程块编程。 | ||
搜索关键词: | 非易失性 相变 存储 设备 相关 编程 挂起 读取 操作 | ||
【主权项】:
1.一种相变随机存取存储器PRAM的操作方法,包括:响应于编程操作请求而对包括N个单位编程块的写入数据块进行编程;响应于读取操作请求在对M个单位编程块进行编程后挂起编程操作,其中M小于N;执行所请求的读取操作;以及恢复写入数据块的编程并对N-M个剩余的单位编程块编程。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710088555.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高伸长、低回缩自粘附胶条系统
- 下一篇:半导体集成电路和漏电流减小方法