[发明专利]有源矩阵衬底、液晶显示器件和液晶显示器件的制造方法有效
申请号: | 200710088139.6 | 申请日: | 2007-03-20 |
公开(公告)号: | CN101043041A | 公开(公告)日: | 2007-09-26 |
发明(设计)人: | 川崎拓;西田真一;今野隆之 | 申请(专利权)人: | NEC液晶技术株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/136;G02F1/1362 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 关兆辉;孙志湧 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在每个像素区内,将通过开关元件连接至信号线的像素电极和连接至共用布线的共用电极布置为彼此交替。以平面图看时,以绝缘膜在中间将共用电位线布置在信号线下面的水平面上,并且还布置在信号线的两侧上。以保护膜在中间将浮置电极布置在信号线上方的水平面上,布置为与信号线和信号线两侧上的共用电位线交叠。 | ||
搜索关键词: | 有源 矩阵 衬底 液晶显示 器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种有源矩阵衬底,包括:多条扫描线和多条共用布线;多条信号线,其与多条扫描线和多条共用布线交叉;和开关元件,其布置在每个被扫描线和信号线围绕的像素中,其中如从法线方向观察时,连接到共用布线的共用电位线形成在信号线下方的水平面上,第一绝缘膜在共用电位线和信号线之间,并且共用电位线还形成在信号线的两侧上,和浮置电极形成在信号线上方的水平面上,第二绝缘膜在浮置电极和信号线之间,如从法线方向上观察时,浮置电极形成为与信号线和信号线两侧上的每一条共用电位线的至少一部分交叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的