[发明专利]使用基于非晶碳的层制造圆柱形电容器的方法无效
| 申请号： | 200710087202.4 | 申请日： | 2007-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101097852A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 朴基善;卢载盛;吉德信;宋翰相;廉胜振;金珍赫;李起正 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/82;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造圆柱形电容器的方法。该方法包含：在衬底上形成包括中间层的隔离结构，在所述衬底中已形成有许多接触塞；通过蚀刻隔离结构形成多个开口区，从而暴露出接触塞的选择部分；在开口区的表面上形成存储节点；蚀刻隔离结构的选择部分以形成包围存储节点的选择部分的图案化中间层，从而支撑存储节点；移除隔离结构的余留部分；以及移除图案化中间层，以暴露存储节点的内壁和外壁。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 基于 非晶碳 制造 圆柱形 电容器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造圆柱形电容器的方法，所述方法包括：在衬底上形成包括中间层的隔离结构，所述衬底中形成有多个接触塞；通过蚀刻所述隔离结构形成多个开口区，由此暴露所述接触塞的选择部分；在所述开口区的表面上形成存储节点；蚀刻所述隔离结构的选择部分以形成包围所述存储节点的选择部分的图案化中间层，由此支撑所述存储节点；移除所述隔离结构的余留部；和移除所述图案化中间层以暴露所述存储节点的内壁和外壁。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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