[发明专利]存储单元结构及其操作方法有效
| 申请号： | 200710086779.3 | 申请日： | 2007-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN101267004A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/51;H01L27/115;G11C16/02;G11C16/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储单元，包括一个硅衬底、位于硅衬底上的一层捕捉层、分别位于捕捉层两侧的硅衬底内的第一与第二掺杂区、位于捕捉层上的一个栅极、位于栅极与捕捉层之间的一层第一氧化层、位于硅衬底与捕捉层之间的一层高界面捕捉密度(high－Dit)材料层以及位于高界面捕捉密度材料层与捕捉层之间的一层第二氧化层，其中高界面捕捉密度材料层与硅衬底之间的界面捕捉密度在1011～1013cm－2eV－1之间。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 结构 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种存储单元结构，包括：一硅衬底；一捕捉层，位于该硅衬底上；一第一掺杂区与一第二掺杂区，分别位于该捕捉层两侧的该硅衬底内；一栅极，位于该捕捉层上；一第一氧化层，位于该栅极与该捕捉层之间；一高界面捕捉密度材料层，位于该硅衬底与该捕捉层之间，其中该高界面捕捉密度材料层与该硅衬底之间的界面捕捉密度在1011～1013cm-2eV-1 之间；以及一第二氧化层，位于该高界面捕捉密度材料层与该捕捉层之间。
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