[发明专利]一种用于等离子体动态鞘层诊断的测量方法无效

专利信息
申请号: 200710086479.5 申请日: 2007-03-13
公开(公告)号: CN101017760A 公开(公告)日: 2007-08-15
发明(设计)人: 武洪臣;张华芳;马国佳;彭丽平;冯建基 申请(专利权)人: 中国航空工业第一集团公司北京航空制造工程研究所
主分类号: H01J37/244 分类号: H01J37/244;H01J37/317;H01L21/66;H01L21/265;H01L21/3065
代理公司: 中国航空专利中心 代理人: 李建英
地址: 1000*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及离子注入、等离子体刻蚀及增强沉积等领域中等离子体特性诊断的一种用于等离子体动态鞘层诊断的测量方法。将直径为φ2~10mm,长度大于等于鞘层扩展估算尺寸的探针垂直指向真空室中的被测基体表面,调整探针偏压,得到无高压脉冲的初始探针电流;向被测基体施加负高压脉冲后,探针电流降低,得到鞘层尺寸。探针偏压的选择应使探针电流低于饱和电流值的五分之三。探针长度大于等于预计鞘层扩展尺寸。本发明采用大尺寸探针,对探针施加低偏压,在不改变探针位置的情况下,连续观察鞘层的扩展、维持及退缩过程。所测波形准确地反映鞘层边缘的移动,使探针起到水位标尺的作用。
搜索关键词: 一种 用于 等离子体 动态 诊断 测量方法
【主权项】:
1.采用探针测量等离子体动态鞘层移动的一种用于等离子体动态鞘层诊断的测量方法,其特征是,将直径为φ2~10mm,长度大于等于鞘层扩展估算尺寸的探针垂直指向真空室中的被测基体表面,调整探针偏压,得到无高压脉冲的初始探针电流;向被测基体施加负高压脉冲后,探针电流降低,得到鞘层尺寸。
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