[发明专利]多域垂直配向型像素结构及其制造方法有效
申请号: | 200710085489.7 | 申请日: | 2007-03-07 |
公开(公告)号: | CN101261409A | 公开(公告)日: | 2008-09-10 |
发明(设计)人: | 陈建宏;朱正仁;许哲铭;杨长浩 | 申请(专利权)人: | 奇美电子股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/133 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种多域垂直配向型像素结构,其包括有源元件、图案化像素电极与存储电容器。其中,有源元件配置于基板上,而图案化像素电极会与有源元件电性连接。此外,图案化像素电极具有主狭缝。上述的存储电容器配置于基板上且位于主狭缝内,且存储电容器电性连接至有源元件。 | ||
搜索关键词: | 垂直 像素 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种多域垂直配向型像素结构,适于配置于基板上,该多域垂直配向型像素结构包括:有源元件,配置于该基板上;图案化像素电极,与该有源元件电性连接,其中该图案化像素电极具有主狭缝;以及存储电容器,配置于该基板上且位于该主狭缝内,且该存储电容器电性连接至该有源元件。
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