[发明专利]多域垂直配向型像素结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种多域垂直配向型像素结构及其制造方法，且特别是有关于一种高开口率的多域垂直配向型像素结构及其制造方法。

背景技术

现今社会多媒体技术相当发达，多半受惠于半导体元件与显示装置的进步。就显示器而言，具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的液晶显示器已逐渐成为市场的主流。

为了让液晶显示器有更好的显示品质，目前液晶显示器皆朝向高对比(high contrast ratio)、无灰阶反转(no gray scale inversion)、色偏小(little colorshift)、亮度高(high luminance)、高色饱和度、快速反应与广视角等特性来发展。以广视角技术而言，常见的例如有共平面切换式(in-plane switching，IPS)液晶显示器、扭转向列型(Twisted Nematic，TN)液晶显示器、边际场切换式(fringe field switching)液晶显示器与多域垂直配向式(multi-domainvertically alignment，MVA)液晶显示器等。

图1是已知多域垂直配向型像素结构的示意图。请参考图1，已知的多域垂直配向型像素结构100配置于基板102上，且多域垂直配向型像素结构100适于受扫描线104与数据线106驱动。具体而言，已知的多域垂直配向型像素结构100包括有源元件110、像素电极120、存储电容器(storagecapacitor)130与共用配线140。其中，像素电极120透过接触窗开口C1而与有源元件110电性连接。实务上，开关信号可以透过扫描线104的传递而将有源元件110开启，在有源元件110开启后显示信号可透过数据线106而传递至像素电极120中。

这里要说明的是，像素电极120上具有主狭缝(Main slit)S1以及多个与主狭缝(Main slit)S1连接的细狭缝(Fine slit)S2。具体而言，液晶显示器(未绘示)中位于像素电极120的主狭缝S1与细狭缝S2处的电场方向，可使液晶分子呈现不同方向的倾倒状态，以增加显示画面的可视角。此外，存储电容器130主要是由下电极层132与上电极层134所构成。其中，下电极层132会与横跨过显示区D的共用配线(Common line)140电性连接。值得注意的是，由于下电极层132、上电极层134与共用配线140一般是由金属材料形成。因此，下电极层132、上电极层134与共用配线140会阻挡光线的穿透。换言之，存储电容器130与共用配线140位于显示区D内的面积愈大，则会导致开口率(aperture ratio)愈低，进而影响显示效果，实有改进的必要。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的是提供一种多域垂直配向型像素结构，以解决已知像素结构的开口率无法有效提升的问题。

本发明的另一目的是提供一种多域垂直配向型像素结构的制造方法，以制造出高开口率的像素结构。

为达上述或是其他目的，本发明提出一种多域垂直配向型像素结构，其适于配置于基板上。本发明的多域垂直配向型像素结构包括有源元件、图案化像素电极与存储电容器。其中，有源元件配置于基板上，而图案化像素电极会与有源元件电性连接。此外，图案化像素电极具有主狭缝(main-slit)。上述的存储电容器配置于基板上且位于主狭缝内，且存储电容器电性连接至有源元件。

在本发明的一实施例中，上述的存储电容器包括第一电容电极、绝缘层与第二电容电极。其中，第一电容电极对应主狭缝而配置于基板上。此外，绝缘层覆盖第一电容电极，而第二电容电极对应第一电容电极而配置于绝缘层上，且第二电容电极与有源元件电性连接。

在本发明的一实施例中，上述的多域垂直配向型像素结构还包括共用配线，其配置于基板上且与第一电容电极电性连接。

在本发明的一实施例中，上述的图案化像素电极具有多个与主狭缝连接的细狭缝(fine-slit)。

在本发明的一实施例中，上述的第一电容电极可延伸至细狭缝内。

在本发明的一实施例中，上述的第二电容电极可延伸至细狭缝内。

在本发明的一实施例中，上述的存储电容器包括第一电容电极、绝缘层与第二电容电极。其中，第一电容电极对应主狭缝而配置于基板上，且第一电容电极与有源元件电性连接。此外，绝缘层覆盖第一电容电极，而第二电容电极对应第一电容电极而配置于绝缘层上。