[发明专利]场发射阴极及其制备方法有效
| 申请号： | 200710074133.3 | 申请日： | 2007-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101290857A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 付伟琦;柳鹏;冯辰;张晓波;姜开利;刘亮;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01J29/04 | 分类号： | H01J29/04;H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种场发射阴极，其包括一导电基底和一碳纳米管薄膜，其中，该碳纳米管薄膜包括择优取向排列的多个碳纳米管束首尾相连且平行于导电基底设置，部分碳纳米管从该碳纳米管薄膜中突出。本发明还涉及一种场发射阴极的制备方法，其包括以下步骤：提供一导电基底；提供至少一层碳纳米管薄膜，该碳纳米管薄膜包括择优取向排列的多个碳纳米管束首尾相连，部分碳纳米管从该碳纳米管薄膜中突出；以及将上述碳纳米管薄膜粘附固定于上述导电基底形成场发射阴极。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 阴极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场发射阴极，其包括一导电基底和一碳纳米管薄膜，其特征在于：该碳纳米管薄膜包括择优取向排列的多个碳纳米管束首尾相连且平行于导电基底设置，部分碳纳米管从该碳纳米管薄膜中突出。
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