[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管制造方法及液晶显示面板无效
| 申请号： | 200710074015.2 | 申请日： | 2007-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN101286529A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 颜硕廷;洪肇逸 | 申请（专利权）人： | 群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管包括一基底、一设置在该基底表面的栅极、一覆盖该基底及该栅极的栅极钝化层、一设置在该栅极钝化层表面的通道区域、一覆盖该栅极钝化层及部分通道区域的漏极与源极及一设置在该漏极与该通道区域之间的导电薄膜，其中该导电薄膜的功函数大于该通道区域的功函数。在该漏极与该通道区域之间设置具较高功函数的导电薄膜，提高该漏极与该通道区域间的能障值以有效改善薄膜晶体管的漏电流特性。同时本发明还提供一种采用该薄膜晶体管的液晶显示面板。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 液晶显示 面板 | ||
【主权项】：
1. 一种薄膜晶体管，其包括一基底、一设置在该基底表面的栅极、一覆盖该基底及该栅极的栅极钝化层、一设置在该栅极钝化层表面的通道区域及一覆盖该栅极钝化层及部分通道区域的漏极与源极，其特征在于：该薄膜晶体管还包括一设置在该漏极与该通道区域之间的导电薄膜，且该导电薄膜的功函数大于该通道区域的功函数。
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