[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管制造方法及液晶显示面板

权利要求书

1. 一种薄膜晶体管，其包括一基底、一设置在该基底表面的栅极、一覆盖该基底及该栅极的栅极钝化层、一设置在该栅极钝化层表面的通道区域及一覆盖该栅极钝化层及部分通道区域的漏极与源极，其特征在于：该薄膜晶体管还包括一设置在该漏极与该通道区域之间的导电薄膜，且该导电薄膜的功函数大于该通道区域的功函数。

2. 如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：该源极与该通道区域之间同样设置有另一导电薄膜，且该导电薄膜的功函数大于该通道区域的功函数。

3. 如权利要求1或者2所述的薄膜晶体管，其特征在于：位于该漏极与该通道区域之间的导电薄膜以及位于该源极与该通道区域之间的导电薄膜均为氧化铟锡薄膜。

4. 如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：该漏极与该源极的材质是铬金属或者钼金属。

5. 如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：该通道区域由一非晶硅薄膜及一重掺杂非晶硅薄膜组成，且该非晶硅薄膜及该重掺杂非晶硅薄膜依次设置在该栅极钝化层表面。

6. 一种薄膜晶体管的制造方法，其包括以下步骤：提供一基底；在该基底表面沉积一栅极金属层；在该栅极及该基底表面形成栅极钝化层；在该栅极钝化层表面形成通道区域；在该通道区域表面形成一导电薄膜，其中该导电薄膜的功函数大于该通道区域的功函数；在该导电薄膜表面沉积形成漏极及源极；在该漏极、源极及该通道区域表面沉积一保护层。

7. 如权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：位于该漏极与该通道区域之间的导电薄膜以及位于该源极与该通道区域之间的导电薄膜均为氧化铟锡薄膜。

8. 如权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：该漏极与该源极的材质是铬金属或者钼金属。

9. 如权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：该通道区域由一非晶硅薄膜及一重掺杂非晶硅薄膜组成，且该非晶硅薄膜及该重掺杂非晶硅薄膜依次设置在该栅极钝化层上。

10. 一种液晶显示面板，其包括：多列平行间隔设置的扫描线、多行平行间隔设置且与该多列扫描线垂直绝缘交叉的数据线、多个设置在该多列扫描线及该多行数据线所界定区域的像素电极、一相对该像素电极设置的公共电极及多个设置在该多列扫描线与该多行数据线交叉区域的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括一连接至其中一扫描线的栅极、一覆盖该栅极的栅极钝化层、一设置在该栅极钝化层表面的通道区域、一覆盖该栅极钝化层及部分通道区域的漏极与源极，该源极对应连接至其中一数据线，该漏极对应连接至其中一像素电极，其特征在于：该薄膜晶体管还包括一设置在该漏极与该通道区域之间的导电薄膜，该导电薄膜的功函数大于该通道区域的功函数。