[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管制造方法及液晶显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法，以及采用该薄膜晶体管的液晶显示面板。

背景技术

在薄膜晶体管液晶显示面板中，显示区域的透光度主要取决于像素电极与公共电极之间的电压差。当薄膜晶体管打开，数据电压通过打开的薄膜晶体管传输至像素电极，然后该薄膜晶体管立即关闭，将电荷保持在液晶电容上，此时所储存的电荷若有漏失，即会造成液晶电容电压的改变，直到新的数据电压再次输入之前。而通常需要保证该液晶电容电压的改变不能使受影响的显示区域亮度变化量超过一个灰阶，否则将导致画质异常。

其中造成电荷漏失的原因，主要包括液晶本身以及薄膜晶体管的漏电流。所以，薄膜晶体管的漏电流大小会影响到薄膜晶体管关闭状态下的像素电极的电信号精确度。

请参阅图1，是一种现有技术所揭示薄膜晶体管的结构示意图。该薄膜晶体管100包括一基底101、一位于该基底101表面的栅极102、一覆盖在该基底101及该栅极102表面的栅极钝化层103、一位于该栅极钝化层103表面的非晶硅薄膜104、一位于该非晶硅薄膜104表面的重掺杂非晶硅薄膜105、一源极106、一漏极107及一保护层108。其中该源极106及该漏极107分别形成在该栅极钝化层103及该重掺杂非晶硅薄膜105表面，且该源极106及该漏极107之间通过一沟道(未标示)间隔，使得该源极106及该漏极107彼此绝缘。该保护层108覆盖该源极106、该漏极107及该沟道所在区域。该非晶硅薄膜104以及位于该非晶硅薄膜104表面的重掺杂非晶硅薄膜105在该源极106与该漏极107之间形成一通道区域(未标示)。

请参阅图2，是图1所述薄膜晶体管100的制造方法流程图，该薄膜晶体管100的制造方法包括以下步骤：

步骤S10：提供一基底101；

步骤S11：形成栅极102；

在该基底101表面沉积一栅极金属层，并使其图案化形成栅极102。

步骤S12：形成栅极钝化层103；

在该栅极102及该基底101没有被栅极102所覆盖的区域表面沉积一氮化硅薄膜，该氮化硅薄膜形成栅极钝化层103。

步骤S13：形成通道区域图案；

在该栅极钝化层103表面依序沉积一非晶硅薄膜104及一重掺杂非晶硅薄膜105，并湿蚀刻该非晶硅薄膜104及该重掺杂非晶硅105，使其形成通道区域图案。由于湿蚀刻是一种等向性蚀刻，因此该非晶硅薄膜104除会被向基底101方向蚀刻之外，也会发生侧向蚀刻，使该非晶硅薄膜104边缘呈一倾斜角结构。

步骤S14：形成源极106及漏极107；

在该非晶硅薄膜104及该重掺杂非晶硅薄膜105表面沉积漏极及源极金属层，并使其图案化，形成源极106及漏极107。然后在该源极106及漏极107表面涂布光阻剂，以该光阻剂做为遮蔽，蚀刻该重掺杂非晶硅薄膜105，并且过蚀刻至该非晶硅薄膜104，以确保该漏极107与该源极106不会短路，且使该非晶硅薄膜104侧面与该漏极107及源极106表面之间形成肖特基接触(Schottky Contact)。

步骤S15：形成保护层108。

去除涂覆在该源极106及漏极107表面的光阻剂，在该源极106、漏极107及位于通道区域的非晶硅薄膜104表面沉积一氮化硅薄膜，形成一保护层108，并使其图案化，获得薄膜晶体管100。

然而，利用上述薄膜晶体管制造方法制得的薄膜晶体管100中，在形成通道区域图案的步骤中，由于该非晶硅薄膜104边缘会发生侧向蚀刻，使该非晶硅薄膜104边缘呈一倾斜角结构，致使该非晶硅薄膜104与该漏极107及该源极106金属表面直接接触，并在该接触界面形成肖特基接触(Schottky Contact)，即该非晶硅薄膜104与该漏极107及源极106金属接触的接触界面形成一较低能障。当该漏极107或该源极106的电压较该栅极101的电压高时，使该漏极107或源极106的电压较该非晶硅薄膜104的电压高，由于该漏极107及该源极106金属与该非晶硅薄膜104的功函数相差较小，则存在于该漏极107及该源极106金属与该非晶硅薄膜104接触界面的能障较小，故该薄膜晶体管100容易产生漏电流。当该漏极107或该源极106的电压与该栅极101的电压差越大时，该薄膜晶体管100产生的漏电流会越大。当将该薄膜晶体管100应用于液晶显示面板时，常常会因为该薄膜晶体管100产生的漏电流影响，使该薄膜晶体管100对液晶电容电压的控制能力变差，从而影响液晶显示面板的影像质量。

发明内容